Лауреаты оставили позади примерно полторы сотни конкурентов. Как говорится в официальном пресс-релизе Нобелевского комитета, учёные получили высокую награду за разработки в сфере высоких информационных технологий. Изобретения троих исследователей в области быстрых транзисторов, лазерных диодов и интегральных микросхем (чипов) заложили основу для современной технологии информации.

Как и пять других нобелевских номинаций, премия в области физики исчисляется в 9 млн. шведских крон ($ 922тыс.). Она будет вручена в Стокгольме 10 декабря, в день смерти Альфреда Нобеля.

Алферов Жорес Иванович - крупнейший российский ученый, автор фундаментальных работ в области физики полупроводников, действительный член (академик) Российской Академии наук, а с 1990 года и ее вице-президент.

При его активном участии были созданы первые отечественные транзисторы и мощные германиевые выпрямители. Основоположник нового направления в физике полупроводников и полупроводниковой электронике - полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе.

Seko "Delfi" arī Instagram vai YouTube profilā – pievienojies, lai uzzinātu svarīgāko un interesantāko pirmais!