Корпорация Intel создала полностью функциональный чип SRAM (Static Random Access Memory), изготовленный с использованием 65-нм технологии.
Эта технология нового поколения позволит Intel удвоить количество транзисторов, которые на сегодняшний день можно разместить в одном чипе. В новой технологии используются транзисторы размером всего 35 нм. Это будут самые миниатюрные транзисторы из существующих и находящихся в массовом производстве.
Seko "Delfi" arī Instagram vai YouTube profilā – pievienojies, lai uzzinātu svarīgāko un interesantāko pirmais!
Publikācijas saturs vai tās jebkāda apjoma daļa ir aizsargāts autortiesību objekts Autortiesību likuma izpratnē, un tā izmantošana bez izdevēja atļaujas ir aizliegta. Vairāk lasi šeit