Исследователи компании Intel нашли два новых способа решения проблем уменьшения тепловыделения транзисторов, используемых в процессорах, а также уменьшения их размера. Предполагается, что это позволит продлить действие закона Мура еще минимум на 10 лет.
Для уменьшения проблем с тепловыделением и уменьшения тока утечки корпорация Intel планирует заменить используемый в настоящее время в качестве диэлектрика затвора тонкий слой диоксида кремния более толстым слоем совершенно нового диэлектрика с высоким диэлектрическим коэффициентом "k" (так называемым "high-k" диэлектриком). Это позволит примерно в 100 раз снизить токи утечки.

Вторая часть решения заключается в разработке нового материала (сплава металлов) для затвора транзистора, поскольку новый "high-k" диэлектрик плохо совместим с прежним материалом затвора — поликристаллическим кремнием.

Транзисторы на основе новых материалов рассматриваются в качестве базового варианта для изготовления будущих процессоров Intel в рамках производственного процесса с проектной нормой 45 нанометров. Этот техпроцесс на основе 300-мм подложек, медных соединений, технологии "растянутого кремния", а также нового затвора и диэлектрика затвора будет запущен в массовое производство уже в 2007 году, сообщает HardVision Digital.

Seko "Delfi" arī Instagram vai YouTube profilā – pievienojies, lai uzzinātu svarīgāko un interesantāko pirmais!

Publikācijas saturs vai tās jebkāda apjoma daļa ir aizsargāts autortiesību objekts Autortiesību likuma izpratnē, un tā izmantošana bez izdevēja atļaujas ir aizliegta. Vairāk lasi šeit